英飞凌OptiMOS™源极底置功率MOSFET系列新添PQFN封装的40 V装置

英飞凌OptiMOS?源极底置功率MOSFET系列新添PQFN封装的40 V装置

当代的电源系统设计需要高功率密食玩度等级和精巧的外型尺寸，以期得到最高的系统级性能。英飞凌科技股份公司（FS绍兴E:IFX/OTCQX:IFNNY）通过专注于强化元器件产品达到系统创新，来应对这一挑战。继2月份推出25V装置后，英飞凌又推出了OptiMOS?40V低电压功率MOSFET，采用源极底置(SD,Source-Down)PQFN封装，尺寸为3.3mmx3.3mm。这款40VSDMOSFET适用于服务器的SMPS、电信和OR-ing，还适用于电池保护、电动工具和充电器等应用。

OptiMOSSD40V低电压功率MOSFET提供两种版本：标准版石材石桌和中央栅极版。中央栅极版针对多部装置并联作业进行了优化。采用源极底置(SD)PQFN封装的装置尺寸为3.3mmx3.3mm，可使RDS(on)大大降低25%，接面与外壳间的热阻RDS(on)亦获得大幅改善。

SD封装的内部采用上下倒置的芯片。如登封此一来，让源极电位(而非汲极电位)能通过导热片连接至PCB。与现有技术相比，此版本最终可使RDS(on)大大降低25%。相较于传统的PQFN封装，接面与外壳间的热阻(RthJC)亦获得大幅改善。SDOptiMOS可承受高达194A的高连续电流。此外，经过优化的配置可能性和更有效的PCB利用，可实现更高的设计灵活性和出色的性能。

供货情况

OptiMOSSD40V低电压功率MOSFET提供两种版本：标准版和中央栅极版。中央栅极版针对多部装置并联作业进行了优化。两个版本皆采用PQFN3.3mmx3.3mm封装，已开始接受订购

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